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此外，SK Hynix还在为HBM4之后的第七代HBM4E作念准备。

IT之家 9 月 4 日音问kk高清电影，SK 海力士封装研发副社长李康旭（Kangwook Lee）于 9 月 3 日出席“2024 年异构集成公共峰会”，发表了名为“面向东谈主工智能期间的 HBM 和先进封装时期”的演讲，示意公司正在树立 16 层 HBM4 内存。

Lee 在演讲中强调异构集成时期（封装不同工艺的半导体芯片）遑急性日益突显，通过合理欺诈该时期，海力士将进一步提高第 6 代 HBM4 产物（计较来岁产量）的性能。

当今的 8 层和 12 层 HBM3E 每秒可惩办朝上 1.18TB （太字节）的数据，并复古高达 36GB 的容量。HBM4 将提供 12 层和 16 层产物，最大容量为 48GB，数据惩办速率朝上每秒 1.65TB。

Lee 示意：“通过在 HBM4 的基础芯片上应用逻辑工艺，咱们瞻望性能和能效皆将获得升迁”。

SK Hynix 和台积电正在妥洽树立 HBM4，计较于 2025 年量产。树立的要害是使用台积电的 5 纳米工艺来创建 HBM4 封装底部的基底芯片。

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HBM 是在基底芯片上堆叠多个 DRAM，并使用 TSV（硅通孔）时期将它们垂直集中起来。基底芯片集中到 GPU（图形惩办单位）并畛域 HBM 的性能。

Lee 还强调了 SK Hynix 接收的先进 MR-MUF 时期的上风。MR-MUF 封装时期可完好意思低粘合压力和温度应用以及批量热惩办，与其他工艺比较，在散热方面具有 30% 以上的性能上风。

IT之家征引他的演讲实质：“咱们正在为 16 层产物准备先进的 MR-MUF 和混杂键合（Hybrid Bonding）模范，并计较接收餍足客户需求的最好模范”。

SK 海力士当今正在欺诈 MR-MUF 时期批量坐蓐 HBM3 和 HBM3E 8 层产物，并欺诈先进的 MR-MUF 时期批量坐蓐 12 层产物，HBM4 12 层产物也将使用同款时期，这些产物计较于来岁下半年出货。此外，SK Hynix 还在为 HBM4 之后的第七代 HBM4E 作念准备。